«Основы физики поверхности и современные методы ее исследования»
Описание курса:
Курс посвящен основам физики поверхности и современным методам ее исследования. Поверхность играет особую роль в физике конденсированного состояния. Поверхность твердого тела представляет собой уникальный объект для исследования, который обладает своими свойствами, часто не совпадающие со свойствами материалов, наблюдаемыми в объеме. Кроме того, наличие поверхности является необходимым атрибутом микро- и наноэлектроники. В современной электронике транзисторы плотно упакованы на поверхности кристалла в пределах интегральной микросхемы. Вопрос увеличения вычислительной мощности неразрывно связан с увеличением числа транзисторов, а значит с уменьшением их размеров. Такая тенденция с неизбежностью приводит к фундаментальным физическим ограничениям, препятствуя дальнейшему прогрессу в этом направлении. Дополнительно с уменьшением размеров используемых материалов до нанометрового масштаба можно наблюдать возникновение на поверхности аномальных атомных структур, обладающих уникальными физическими свойствами, которые отсутствуют в объемном кристалле. Исследование таких структур требует осознанного выбора методов для исследования.
План курса:
Лекция 1
Основы двумерной кристаллографии.
Лекция 2
Экспериментальные основы техники сверхвысокого вакуума. Вакуумные технологии. Конструирование сверхвысоковакуумных систем.
Лекция 3
Приготовление атомно-чистых поверхностей. Технология нанесения тонких плёнок: Концепция нанесения. Влияние остаточных газов на параметры плёнок.
Лекция 4
Структурные дефекты поверхности. Общее рассмотрение с использованием TSK-модели.
Лекция 5
Дифракционные методы исследования поверхности. Дифракция медленных электронов. Дифракция отражённых быстрых электронов (ДОБЭ).
Лекция 6
Контрольная работа. Представление рефератов и эссе.
Лекция 7
Дифракция рентгеновских лучей. Приложения дифракции рентгеновских лучей.
Лекция 8
Методы электронной спектроскопии. Неупругое рассеяние электронов и поверхностная чувствительность. Метод электронной Оже-спектроскопии.
Лекция 9
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС). РФЭС с угловым разрешением. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС). Использование УФЭС для изучения зонной структуры. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения (СХПЭЭВР).
Лекция 10
Методы ионной спектроскопии. Ионно-нейтрализационная спектроскопия (ИНС). Рассеяние медленных ионов: основные положения. Структурные эффекты в РМИ. Рассеяние быстрых ионов (РБИ). Вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС).
Лекция 11
Десорбционная спектроскопия. Термодесорбция. Электронно-стимулированная десорбция.
Лекция 12
Полевые методы. Полевая эмиссия. Полевой электронный микроскоп. Полевой ионный микроскоп. Полевой ионный микроскоп с атомным зондом.
Лекция 13
Контрольная работа. Представление рефератов и эссе.
Лекция 14
Низкоэнергетический электронный микроскоп (Low Energy Electron Microscope (LEEM)). Взаимодействие медленных электронов с веществом.
Лекция 15
Сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия. Концепция туннелирования. Теория Туннелирования Ландауэра.
Лекция 16
Сканирующий туннельный микроскоп с возможностью скола образца in situ. Природа возникновения фликкер-шума в туннельных контактах. Применение сканирующей туннельной микроскопии для исследования непериодических систем. Изучение локальных поверхностных реакций.
