Стрелецкий Олег Андреевич
«Пучковые и плазменные методы формирования тонких покрытий и наноструктур»
Описание курса:
Технологии химического, физического и плазмохимического осаждения стоят на переднем крае современных методов формирования функциональных покрытий для промышленности и элементов микро- и наноэлектроники. Данные методы оказывают существенно влияние на темпы развития науки и технологии.
Возможность варьировать параметры осаждения покрытий в широком диапазоне и с высокой точностью, позволяет создавать материалы с огромным спектром свойств, что открывает путь для развития новых технологий и инноваций. Так, возможно изготавливать покрытия с новыми оптическими, механическими и электрофизическими свойствами. Отдельно стоит отметить, возможность создания данными методами низкоразмерных структур с уникальными свойствами, таких как квантовые точки, сверхрешетки, квантовые нити. В конечном итоге, данные системы служат базисом для создания современных микросхем, сенсоров, датчиков, элементов МЭМС, защитных покрытий и т.д.
В рамках курса рассматриваются основные методы получения наноструктурированных материалов. Основной акцент уделяется физическим и химическим методам изготовления покрытий – термическому испарению (молекулярно-лучевая эпитаксия), химическому газофазному осаждению, пучковым и ионно-плазменным методам. Отдельно рассматривается разделы по ионно-стимулированному, химическому и физическому травлению и технологиям современной литографии. Также, в рамках курса, рассматриваются механизмы зародышеобразования и эволюции структуры покрытий в процессе формирования. Приводятся примеры создания функциональных покрытий и элементов наноэлектроники. В рамках практического занятия будут продемонстрированы особенности работы технологического оборудования на примере ионно-плазменного осаждения.
Цель курса – познакомить слушателей с основными методами получения тонких покрытий и наноструктур. По завершению курса слушатели получат представления об пучковых и плазменных технологиях изготовления тонких покрытий и наноматериалов, а также о физических процессах, лежащих в их основе.
План курса:
Лекция 1.
Введение. Современные методы получение материалов.
Лекция 2.
Рост кристаллов.
Лекция 3.
Зародышеобразование часть 1.
Лекция 4.
Зародышеобразование часть 2.
Лекция 5.
Химическое газофазное осаждение часть 1.
Лекция 6.
Химическое газофазное осаждение часть 2.
Лекция 7.
Химическое газофазное осаждение часть 3.
Лекция 8.
Термическое осаждение часть 1.
Лекция 9.
Термическое осаждение часть 2.
Лекция 10.
Ионное распыление.
Лекция 11.
Диодное осаждение.
Лекция 12.
Магнетронное осаждение.
Лекция 13.
Ионно-ассистированное осаждение часть 1.
Лекция 14.
Ионно-ассистированное осаждение часть 2. Дуговое осаждение
Лекция 15.
Травление поверхности.
Лекция 16.
Литография.
Лекция 17.
Практическое занятие.
